91人人人玩人人妻精品99,国产婬乱a一级毛片多成年人,风韵丰满熟妇啪啪区老熟熟女,啊慢点太深了国产在线视频,九九久久精品国产免费看小说
深圳市石金科技股份有限公司 歡迎您!
石金科技
石墨制品定制咨詢: 鐘先生 150-1381-7458 羅小姐 137-2866-5346
水土保持行政許可承諾書
水土保持方案登記表
行政許可申請表
關(guān)于佛山市石金工業(yè)碳素新材先進制造項目水土保持方案登記表公示

新聞中心

News

咨詢熱線

137-2866-5346
聯(lián)系石金科技

深圳市石金科技股份有限公司

聯(lián)系電話:137-2866-5346

電子郵箱:project@goldstonelee.net

公司地址:深圳市寶安區(qū)燕羅街道塘下涌社區(qū)安潤路2號101,201,301

立即咨詢 在線留言

是什么造成了管式PECVD氮化硅膜出現(xiàn)色差?

發(fā)布時間:2020-03-21 點擊次數(shù):3459

隨著技術(shù)的不斷成熟,要求太陽電池的質(zhì)量和外觀也越來越高。目前,常用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)法沉積氮化硅,在晶硅太陽電池表面上一層小于100納米的薄膜,氮化硅薄膜作為一種重要的薄膜材料,具有優(yōu)良的光電性能、鈍化性能和機械性能。它不僅是優(yōu)良的太陽電池減反射膜,而且還有很好的表面和體鈍化作用,能提高太陽電池的轉(zhuǎn)換效率。在實際商業(yè)運用中,用PECVD沉積氮化硅薄膜的技術(shù)已較為成熟,光伏太陽電池行業(yè)廣泛使用板式PECVD和管式PECVD,但管式PECVD法制備的氮化硅薄膜色差問題難以解決,色差會使太陽電池的外觀不良,必須重新晶硅太陽電池氮化硅膜產(chǎn)生色差的影響因素研究返工,使得生產(chǎn)成本高居不下。

1實驗

1.1實驗材料與設備

       準備好實驗的材料和設備

1.2石墨舟的清洗和烘干
  在清洗機中加入體積濃度為16%的HF溶液,再將
石墨舟整舟放入清洗機中清洗,并開啟鼓泡酸洗4小時,然后在水槽中清洗6小時。清洗結(jié)束之后,吹干石墨舟上的水分,然后在烘箱中150℃下烘8小時。烘干的石墨舟以備實驗使用。
1.3鍍舟與鍍膜
  承載硅片的石墨舟在給硅片鍍氮化硅膜之前,需要進行飽和,即鍍舟。按照實驗的要求設定鍍舟的條件,包括氣體流量、壓力、溫度、時間等條件。用飽和后的石墨舟承載硅片,按照實驗的要求設定鍍膜工藝。



2.結(jié)果與討論

2.1氮化硅薄膜沉積原理與分析
  等離子體增強化學氣相沉積法沉積薄膜的原理[2]如圖1,PECVD是一種射頻輝光放電的物理過程和化學反應相結(jié)合的技術(shù),在保持一定壓力的原料氣體中,輸入直流、高頻或微波功率,產(chǎn)生氣體放電,形成等離子體

  當開啟射頻電源時,在陰極和陽極之間會產(chǎn)生高頻交變電場,電子在電場的加速下便獲得能量。當這些電子和氣體中的原子或分子發(fā)生非彈性碰撞時,有可能發(fā)生電離產(chǎn)生二次電子,二次電子再進一步和氣體中的原子或分子碰撞電離..如此反復進行,產(chǎn)生大量的光子、電子、帶電離子、受激分子和原子或化學性質(zhì)十分活潑的活性基團(如SiH,NH基團),但其間正、負電荷總數(shù)處處相等。等離子體中的離子、分子、原子或活性基團與周圍環(huán)境溫度相同,但其非平衡電子則由于質(zhì)量很小,平均溫度可比其他粒子大一至二個數(shù)量級,因此通常要在高溫條件下才能實現(xiàn)的許多化學反應,在低溫甚至室溫下也能實現(xiàn)。在淀積等離子體氮化硅時,并不是等離子體中所有SiH4和NH3的反應都能生成理想的薄膜,只有表面反應才能生成所需的薄膜?;钚曰鶊FSiH和NH被傳輸?shù)交妆砻?,二者發(fā)生表面反應生成Si-N網(wǎng)絡,其中還可能結(jié)合一定量的SiH和NH基團

 晶硅太陽電池表面氮化硅薄膜產(chǎn)生色差是由其表面不同區(qū)域的氮化硅顏色不同造成的。根據(jù)表1所示,厚度可由橢圓偏振儀精確測量,氮化硅薄膜的厚度和顏色有一一對應關(guān)系,在能夠估計厚度范圍的情況下,可根據(jù)氮化硅薄膜的顏色和表1中所列的顏色進行比較,來確定氮化硅膜的大約厚度。

 2.2硅片表面均一性對氮化硅膜色差的影響
  傳統(tǒng)晶硅太陽電池的生產(chǎn)工藝過程分別為清洗制絨、擴散、刻蝕、PECVD、絲網(wǎng)印刷和燒結(jié)等步驟,其中清洗制絨工藝將嚴重影響硅片表面的絨面的均一性。取兩片清洗制絨后硅片,在同一條件下進行PECVD鍍氮化硅膜,片1的表面均一性較差,如圖2中a和b是片1的不同區(qū)域的微觀結(jié)構(gòu),a中有大量細小的線型腐蝕坑,使得片1的比表面積增大。雖然b的表面均一性較為好,但整體上片1的表面均一性較差;片2的表面均一性良好,如圖3,其絨面大小約2.13μm。通過實驗表明,通過PECVD沉積在片1表面的氮化硅薄膜產(chǎn)生了色差,即部分區(qū)域偏紅,部分區(qū)域偏白。這是由于同一條件下,反應氣體流量相同,比表面積大的區(qū)域沉積的氮化硅厚度越小,而比表面積小的區(qū)域則反之。相比之下,片2表面均一性較好且無色差,如圖4。可見,硅片表面微觀結(jié)構(gòu)差異較大會造成比表面積明顯差異,從而使氮化硅薄膜厚度產(chǎn)生顯著差異,表現(xiàn)出不同顏色,即色差。

2.3導電導熱性對氮化硅膜色差的影響
  晶硅太陽電池的生產(chǎn)過程中,管式PECVD是用石墨舟作為載體,將硅片送入爐內(nèi)的,硅片緊貼在石墨舟的舟葉內(nèi)壁,每片硅片有三個卡點作為支撐點,石墨舟如圖5??c的作用除了支撐的作用以外,還有導電導熱的作用。因此,研究卡點的導電導熱性對氮化硅膜色差的影響十分必要。實驗組的石墨舟使用舊卡點且?guī)в写罅康璞∧?;對照組的石墨舟使用全新卡點,兩組實驗為同一個石墨舟,卡點不同。實驗結(jié)果見圖

1.png

驗組的舊卡點導致的色差片數(shù)量明顯多于新卡點。舊卡點上帶有大量氮化硅膜層,使卡點的導熱導電性能發(fā)生較大改變,原來的工藝難以匹配舊卡點。因此,舊卡點產(chǎn)生的色差片相對要多。

 2.4反應溫度的均勻性對氮化硅膜色差的影響
  管式PECVD爐管內(nèi)有5個溫區(qū),控制著管內(nèi)溫度的穩(wěn)定性和氣體反應溫度的穩(wěn)定性。為了研究反應溫度的均勻性對氮化硅膜色差的影響,實驗組鍍膜時的5個溫區(qū)分別為470℃、430℃、470℃、430℃、470℃;對照組鍍膜時的5個溫區(qū)分別為440℃、440℃、440℃、440℃、440℃。其他條件相同條件下,每組分別統(tǒng)計10舟,

進一步研究色差片產(chǎn)生的原因發(fā)現(xiàn),如圖7,爐管內(nèi)有5個溫區(qū)溫度高低不均,產(chǎn)生了大量的色差片,這個因素影響很明顯,因為溫度會影響氣體反應速率,溫度高反應劇烈,膜層生長較快,溫度低反應緩慢,膜層生長較慢,所以同一硅片會產(chǎn)生色差,保證爐管內(nèi)溫度均一性非常重要。
  2.5電場均勻性對氮化硅膜色差的影響
  在石墨舟中相鄰的兩片舟葉之間通電后會產(chǎn)生電場,氣體從舟葉之間流通時,含有不同電荷的離子在電場中運動,并沉積在硅片和石墨舟葉上。為了研究電場均勻性對氮化硅膜色差的影響,我們用一個新舟和一個舊舟分別在同一個工藝以及爐管中進行鍍膜,由此可以看出,舊舟的色差片數(shù)量明顯高于新舟,經(jīng)過長期使用,反復清洗,舊舟的舟葉表面的平整度比新舟要差。電場是有平行的兩葉舟葉通電后產(chǎn)生,那么當舟葉表面的平整度發(fā)生變化時,電場就會發(fā)生改變。因此,同一硅片的不同區(qū)域的氮化硅膜層生長速度不同,從而產(chǎn)生色差。

  在具體的生產(chǎn)中,還有很多其他因素會產(chǎn)生色差片,例如石墨舟的清洗情況、石墨舟的鍍舟情況以及單層膜和多層膜的工藝條件等等。采用PECVD鍍膜產(chǎn)生的情況較為復雜,需后來者進一步研究與探討。




3結(jié)論

  通過PECVD鍍膜原理的討論,以及后續(xù)實驗的驗證得出以下結(jié)論。


  1.硅片表面微觀結(jié)構(gòu)差異較大會造成比表面積明顯差異,從而使氮化硅薄膜厚度產(chǎn)生顯著差異,表現(xiàn)出不同顏色,即色差。

  2.卡點的導電導熱性能發(fā)生較大改變時,原來的工藝難以匹配舊卡點。因此,舊卡點產(chǎn)生的色差片相對要多。

  3.溫度會影響氣體反應速率。溫度高反應劇烈,膜層生長較快,溫度低反應緩慢,膜層生長較慢,那么,同一硅片就會產(chǎn)生色差。

  4.當舟葉表面的平整度發(fā)生變化時,電場就會發(fā)生改變。因此,同一硅片的不同區(qū)域的氮化硅膜層生長速度不同,從而產(chǎn)生色差。



本文出自深圳市石金科技股份有限公司,公司是集銷售、應用開發(fā),產(chǎn)品加工的石墨專業(yè)廠家,專門為模具行業(yè)、機械行業(yè)、真空熱處理爐、電子半導體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)等提供石墨材料、石墨電極和相關(guān)的石墨制品,歡迎致電13662687390

石金科技

聯(lián)系部門

鐘先生:150-1381-7458

羅小姐:137-2866-5346

電子郵箱:project@goldstonelee.net

公司地址:深圳市寶安區(qū)燕羅街道塘下涌社區(qū)安潤路2號101,201,301

石金科技
  • 石金科技 石金石墨
  • 石金科技 掃描二維碼
備案號: 粵ICP備14060263號-3    版權(quán)所有:深圳市石金科技股份有限公司    技術(shù)支持:京馬網(wǎng) 傲馬系統(tǒng)
91人人人玩人人妻精品99,国产婬乱a一级毛片多成年人,风韵丰满熟妇啪啪区老熟熟女,啊慢点太深了国产在线视频,九九久久精品国产免费看小说